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电路改造，是每个家庭在装修时都必须的一个环节。但是大多数人对电路改造的熟悉程度，远没有其它环节多。不少施工人员就是认准了用户在电路改造环节知识的薄弱，往往在施工过程中偷工减料、少或不。下面总结了几点在电路改造过程中容易发生问题的地方，希望对大家有帮助。裸线埋墙裸线埋墙《G 327-2001》中明确写着，所有电线必须接穿线管，不能发生裸露在空气中或直接与墙壁接触的情况。这样规定，一方面是为了防止电线发生漏电，使墙壁带电；二方面是为了方便在日后维修时更换电线；三方面是为了给电线散热空间。块列是变量所在的逻辑块，位置列给出了变量在逻辑块中的位置和指令，如下图所示可对需要参看的参考数据进行筛选，点击，出现如下窗口，对需要的参考数据进行筛选，方便用户查看赋值表赋值表显示已被用户程序使用的地址。赋值表的左面显示I/Q和M区哪些字节、哪些位被使用，标有X的方格表示该位被访问，”BWD”列分别表示按字节、字或双字访问。如下图，赋值表的右边显示用户程序使用的定时器和计数器，本例只使用了定时器。程序结构程序结构显示用户程序中块的分层调用结构，通过它可以对程序所用的块、它们的从属关系以及它们对局部数据的需求有个概括的了解如下图所示：其他参考数据单击参数数据窗口工具栏的未使用的符号按钮，可以显示在符号表中已经定义，但是没有在用户程序中使用的符号，项目调试好后可以未使用的符号。当电压由正向变为反向时,电流并不立刻成为(-i0),而是在一段时间ts内,反向电流始终很大,二极管并不关断。经过ts后,反向电流才逐渐变小,再经过tf时间,二极管的电流才成为(-i0),ts称为储存时间,tf称为下降时间。tr=ts+tf称为反向恢复时间,以上过程称为反向恢复过程。这实际上是由电荷存储效应引起的,反向恢复时间就是存储电荷耗尽所需要的时间。该过程使二极管不能在快速连续脉冲下当关使用。基区很薄，而发射区较厚，杂质浓度大，PNP型三极管发射区"发射"的是空穴，其方向与电流方向一致，故发射极箭头向里；NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子，其方向与电流方向相反，故发射极箭头向外。发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。从三个区引出相应的电极，分别为基极b发射极e和集电极c。NPN型三极管在三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正偏，发射区的多数载流子（电子）及基区的多数载流子（空穴）很容易地越过发射结互相向对方扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电流子。设：没有R25,那么OUTPUT的输出是通过ce与地连接在一起的，输出端悬空了，即高阻态。这时候OUTPUT的电平状态未知，如果后面一个电阻负载（即使很轻的负载）到地，那么输出端的电平就被这个负载拉到低电平，它是不能输出高电平的。需要接一个电阻到VCC，而这个电阻就叫上拉电阻。OD门OC门与OD门是十分相似的，将三极管换成了MOS管当INPUT输入高电平，GS阈值电压，MOS管Q1导通，Q3的G点电位为0，Q3截止，OUTPUT高电平当INPUT输入低电平，GS阈值电压，MOS管Q1截止，Q3的G点电位为高，Q3导通，OUTPUT低电平OD门漏它其实利用了外围电路的驱动能力，减少了IC内部的驱动，因此想让它作为驱动电路，必须接上拉电阻才能正常工作，51单片机的P0口。